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          ASML未來四代EUV光刻機:披露主力出貨型號及交付時間

          日前,ASML產品營銷總監Mike Lercel向媒體分享了EUV(極紫外)光刻機的最新進展。

          ASML現在主力出貨的EUV光刻機分別是NXE:3400B和3400C,它們的數值孔徑(NA)均為0.33,3400C目前可用已經達到90%左右。

          預計今年年底前,NXE:3600D將開始交付,30mJ/cm2下的晶圓通量是160片,比3400C提高了18%,機器匹配套準精度也增加了,它預計會是未來臺積電、三星3nm制程的主要依托。

          在3600D之后,ASML規劃的三代光刻機分別是NEXT、EXE:5000和EXE:5200,其中從EXE:5000開始,數值孔徑提高到0.55,但要等待2022年晚些時候發貨了。

          由于光刻機從發貨到配置/培訓完成需要長達兩年時間,0.55NA的大規模應用要等到2025~2026年了,服務的應該是臺積電2nm甚至1nm等工藝。

          0.55NA比0.33NA有著太多優勢,包括更高的對比度、圖形曝光更低的成本、更高的生產效率等。

          當然,硅片、曝光潔凈室靠攏物理極限,也是不容小覷的挑戰?,F今5nm/7nm光刻機已然需要10萬+零件、40個集裝箱,而1nm時代光刻機要比3nm還大一倍左右,可想而知了。

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