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          可兼容RAM與ROM并提升效率 科學家展示制造FE-FET器件新方法

          芯研所消息,一個長期以來被寄予厚望的進展是鐵電場效應晶體管(FE-FET)。這類設備可以快速切換狀態,足以進行計算,但也能夠在不通電的情況下保持這些狀態,使它們能夠作為長期存儲器存儲。作為 RAM 和 ROM 的雙重職責,FE-FET 器件將使芯片的空間效率更高,功能更強。

          而制造實用 FE-FET 器件存在諸多障礙,首先由于鐵電材料的高溫要求,這種最能顯示必要的鐵電效應的材料與大規模生產硅元件的技術不兼容?,F在,賓夕法尼亞大學工程與應用科學學院的一個研究小組已經展示了一個解決這個問題的潛在方法。

          在研究中,他們證明了鈧摻雜的氮化鋁(AlScN),一種被發現表現出鐵電的材料,可以被用來制造 FE-FET 以及具有商業可行的二極管-記憶體類型的存儲器件。

          這些研究由電氣和系統工程(ESE)專業的助理教授 Deep Jariwala 和他實驗室的研究生劉曦文(Xiwen Liu,音譯)帶領。他們與賓夕法尼亞州工程學院的同事 Troy Olsson(也是 ESE 的助理教授)和 Eric Stach(材料科學與工程系教授兼物質結構研究實驗室主任)進行了合作。他們在《Nano Letters》和《Applied Physics Letters》上發表了這些結果。

          (作者:曲楠 責編:Martin)

          標簽: RAM ROM

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